Твердотельный накопитель SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP1T0BW, 1TB, форм-фактор M.2, PCIe 5
Коротко о товаре
- Назначение
- для ноутбука и настольного компьютера
- Емкость
- 1 ТБ
- Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
- 2600000 IOPS
- Скорость записи
- 13300 МБ/с
- Скорость чтения
- 14700 МБ/с
- Интерфейс
- PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
- Размеры (Ш×В×Г)
- Максимум 80,15 мм × максимум 22,15 мм × максимум 2,38 мм
Цена уточняется
Наличие уточняется — срок не обещаем, пока склад не подтвердил.
Положить в корзину нельзя: цена не подтверждена.
Напишем один раз, когда товар появится.
ИП Внучко Владислав Викторович, ИНН 773018862525
121151, г. Москва, ул. Можайский Вал, д. 4
Оплата — на защищённой странице Банка Точка: данные карты магазину не передаются.
Описание
Samsung 9100 PRO — внутренний SSD ёмкостью 1 TB в форм-факторе M.2 (2280). Накопитель использует интерфейс PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 и память Samsung V-NAND TLC.
Характеристики
Основное
| Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
|---|
Показать все характеристики
Питание и мощность
| Ёмкость | 1000 ГБ (1 ГБ = 1 миллиард байт по стандарту IDEMA). * Фактическая доступная ёмкость может быть меньше из-за форматирования, разбиения на разделы, операционной системы, приложений или других факторов |
|---|---|
| Емкость | 1 ТБ |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 2600000 IOPS |
| Скорость записи | 13300 МБ/с |
| Скорость чтения | 14700 МБ/с |
Функции и особенности
| Интерфейс | PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 |
|---|
Размеры и вес
| Размеры (Ш×В×Г) | Максимум 80,15 мм × максимум 22,15 мм × максимум 2,38 мм |
|---|
Прочее
| Последовательное чтение | До 14700 МБ/с. * Производительность может различаться в зависимости от оборудования и конфигурации системы |
|---|---|
| Последовательная запись | До 13300 МБ/с. * Производительность может различаться в зависимости от оборудования и конфигурации системы |
| Масса | Максимум 9,0 г |
| Форм-фактор | M.2 (2280) |
| Тип памяти | Samsung V-NAND TLC |
| Контроллер | Контроллер собственной разработки Samsung |
| Кеш-память | Samsung DDR4X SDRAM, 1 ГБ, с низким энергопотреблением |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 600 ТБ |
| Тип PCI-E | PCI-E 5.0 x4 |
| Поддержка технологий | NVMe |
| Тип разъема M.2 | 2280 |
Гарантия
Гарантия 1 год. Условия и порядок обращения — на странице «Гарантия».
